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Transistor de Potencia NPN / 500 V / 15 A / 80 W / TO-3PB / Conmutación Rápida

SYSCOM SYSCOM

Transistor de Potencia NPN / 500 V / 15 A / 80 W / TO-3PB / Conmutación Rápida

Modelo: 2SC-3451  ·  Código SAT: 32111600

Precio lista: $154.25 MXN

$70.20 MXN (IVA Incluido)

IVA: $9.68  ·  USD 2.74 @ TC $18.41

✓ En existencia (10 disponibles)

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Descripción

Transistor de potencia NPN en silicio diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y media potencia. Soporta tensiones de hasta 500 V entre colector y base con corrientes de pico de 15 A, integrando tecnología de conmutación rápida que minimiza las pérdidas por switching. Su encapsulado TO-3PB garantiza disipación térmica eficiente y operación estable en entornos industriales exigentes. Especialmente indicado para fuentes conmutadas, inversores y equipos de ultrasonido donde la velocidad de respuesta y la confiabilidad térmica son críticas.

Características Principales

  • Conmutación ultrarrápida: tiempo de encendido 0.5 μs, almacenamiento 1.5 μs, caída 0.15 μs
  • Encapsulado TO-3PB para alta confiabilidad mecánica y térmica
  • Resistencia térmica unión-carcasa de 1.56 °C/W
  • Temperatura de unión máxima de 150 °C
  • Voltaje de saturación colector-emisor de 1.0 V a 6 A
  • Aplicaciones: reguladores SMPS, generadores ultrasónicos, inversores

Especificaciones Técnicas

Voltajes Máximos
VCBO: 500 V
VCEO: 400 V
VEBO: 7 V
Corrientes Máximas
IC: 15 A
IB: 5 A
Potencia y Disipación
PC: 80 W (TC = 25 °C)
Rth(j-c): 1.56 °C/W
Voltajes de Saturación
VCE(sat): 1.0 V (IC = 6 A, IB = 1.2 A)
VBE(sat): 1.5 V (IC = 6 A, IB = 1.2 A)
Ganancia de Corriente
hFE: 10 mín. (IC = 6 A, VCE = 5 V)
Tiempos de Conmutación
Ton: 0.5 μs
Ts: 1.5 μs
Tf: 0.15 μs
Temperaturas
Tj máx.: 150 °C
Tstg: -65 °C a 150 °C
Encapsulado
TO-3PB

Aplicaciones Típicas

Reguladores de conmutación (SMPS)
Generadores ultrasónicos
Inversores DC-AC

Información adicional

Garantía 3 años
Peso 0.01 kg
Dimensiones - x 1 x 1 cm (alto x largo x ancho)

Características

  • Conmutación ultrarrápida en menos de 2 μs total
  • Encapsulado TO-3PB para operación confiable en alta potencia
  • Resistencia térmica baja de 1.56 °C/W para eficiente disipación
  • Rango amplio de temperatura de -65 °C a 150 °C
  • Voltaje de saturación reducido de 1.0 V para menor pérdida de potencia
  • Ideal para reguladores SMPS e inversores de frecuencia

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