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Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07

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Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07

Modelo: MRF433  ·  Código SAT: 32111607

Precio lista: $794.29 MXN

$284.66 MXN (IVA Incluido)

IVA: $39.26  ·  USD 11.11 @ TC $18.41

✓ En existencia (8 disponibles)

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Descripción

Transistor NPN de silicio diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia en el rango de alta frecuencia (HF). Opera eficientemente en el espectro de 2 a 30 MHz con una potencia de salida de 12.5 watts, ideal para etapas de potencia en transmisores, amplificadores de RF y equipos de comunicación. Su encapsulado estándar 211-07 facilita la integración en diseños existentes y nuevos desarrollos de equipos de telecomunicaciones.

Características principales

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia de operación: 2 a 30 MHz
  • Potencia máxima de salida: 12.5 watts
  • Voltaje colector-emisor: 12.5 Vcc
  • Encapsulado estándar 211-07 para montaje simplificado
  • Alta eficiencia en operación de radiofrecuencia

Especificaciones técnicas

Tipo
Transistor de silicio NPN
Rango de frecuencia
2 - 30 MHz
Voltaje colector-emisor
12.5 Vcc
Potencia de salida
12.5 W
Encapsulado
211-07

Información adicional

Garantía 3 años
Peso - kg
Dimensiones 1 x 3 x 2 cm (alto x largo x ancho)

Características

  • Alta eficiencia en aplicaciones de radiofrecuencia
  • Rango de frecuencia optimizado para HF
  • Manejo de potencia de 12.5 watts continua
  • Voltaje colector-emisor de 12.5 Vcc
  • Encapsulado estándar para montaje simplificado
  • Silicio NPN para estabilidad térmica

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