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Transistor de Potencia RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 12.5 Vcc / SMD

FREESCALE FREESCALE

Transistor de Potencia RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 12.5 Vcc / SMD

Modelo: MRF-1518-T1  ·  Código SAT: 32111600

Precio lista: $680.27 MXN

$345.13 MXN (IVA Incluido)

IVA: $47.60  ·  USD 13.47 @ TC $18.41

⚠ Sin existencia — consulta disponibilidad

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Descripción

El transistor de potencia RF MRF1518T1 es un dispositivo FET de canal N diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. Su alta ganancia de potencia de 11 dB y rendimiento de banda ancha lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM móviles de 12.5 voltios. El dispositivo ofrece excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de desadaptación severas, garantizando operación confiable en entornos exigentes.

Características Principales

  • Transistor FET de canal N con potencia de salida de 8 W
  • Frecuencia máxima de operación de 520 MHz
  • Alta ganancia de potencia de 11 dB
  • Eficiencia del 55% a 12.5 Vcc
  • Estabilidad térmica superior para operación continua
  • Diseño SMD en envase plástico RF
  • Capacidad para manejar 20:1 VSWR @ 15.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
  • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie

Especificaciones Técnicas

Tipo de Dispositivo
FET Canal N
Potencia de Salida
8 W
Frecuencia Máxima
520 MHz
Voltaje de Operación
12.5 Vcc
Ganancia de Potencia
11 dB
Eficiencia
55% @ 12.5 Vcc
Tolerancia VSWR
20:1 @ 15.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB sobremodulación
Encapsulado
SMD plástico RF
Caracterización de Impedancia
Parámetros equivalente en serie, señal grande

Aplicaciones Típicas

Amplificadores de fuente común de gran señal, equipos FM móviles de 12.5 V, sistemas de comunicación de banda ancha comercial e industrial, transmisores RF en frecuencias de hasta 520 MHz.

Información adicional

Garantía 3 años
Peso 0.01 kg
Dimensiones 1 x 1 x - cm (alto x largo x ancho)

Características

  • Alta ganancia de potencia de 11 dB para amplificación eficiente
  • Eficiencia del 55% optimizada para operación a 12.5 Vcc
  • Estabilidad térmica superior en operación continua prolongada
  • Tolerancia a desadaptación 20:1 VSWR en condiciones extremas
  • Diseño SMD en envase plástico RF para integración compacta
  • Parámetros de impedancia de señal grande caracterizados en serie

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