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Diodo de Silicio de Recuperación Estándar / VRMS 70V / IF 35A / VF 1.2V / DO-5 / -55 a +150°C

SYSCOM SYSCOM

Diodo de Silicio de Recuperación Estándar / VRMS 70V / IF 35A / VF 1.2V / DO-5 / -55 a +150°C

Modelo: 1N1184A  ·  Código SAT: 32111500

Precio lista: $669.00 MXN

$428.15 MXN (IVA Incluido)

IVA: $59.06  ·  USD 16.71 @ TC $18.41

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Descripción

Diodo de silicio de recuperación estándar diseñado para aplicaciones de potencia en fuentes de alimentación y sistemas de energía. Ofrece una corriente directa continua de 35 A con un voltaje directo de 1.2 V, optimizando la eficiencia en conversión de potencia. Su encapsulado DO-5 con cátodo en la base facilita la identificación y montaje correcto en circuitos de alta corriente. Opera en un rango térmico extendido de -55°C a +150°C, garantizando confiabilidad en condiciones ambientales exigentes.

Características Principales

  • Alta capacidad de sobrecarga de 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
  • No sensitivo a descargas electrostáticas (ESD)
  • Resistencia térmica de 0.25°C/W (junto a carcaza)
  • Voltaje repetitivo de pico inverso de 100 V
  • Corriente inversa de 10 μA (VR = 50 V, TJ = 25°C)
  • Encapsulado DO-5 (DO-203AB) con cátodo en base

Especificaciones Técnicas

Eléctricas

Voltaje repetitivo de pico inverso: 100 V

Voltaje inverso RMS: 70 V

Voltaje de bloqueo DC: 100 V

Corriente directa continua: 35 A

Corriente de sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)

Voltaje directo: 1.2 V (IF = 35 A, TJ = 25°C)

Corriente inversa: 10 μA (VR = 50 V, TJ = 25°C)

Térmicas y Mecánicas

Resistencia térmica (junto a carcaza): 0.25°C/W

Temperatura de operación: -55°C a +150°C

Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C

Encapsulado: DO-5 (DO-203AB)

Polaridad: Cátodo en base

Aplicaciones

Fuentes de alimentación, sistemas de energía, rectificación de potencia, protección de circuitos y equipos industriales que requieren alta capacidad de sobrecarga y operación confiable en amplios rangos térmicos.

Información adicional

Garantía 3 años
Peso - kg
Dimensiones - x - x - cm (alto x largo x ancho)

Características

  • Alta capacidad de sobrecarga de 595 A
  • No sensitivo a descargas electrostáticas ESD
  • Resistencia térmica de 0.25°C/W junto a carcaza
  • Voltaje repetitivo de pico inverso de 100 V
  • Corriente inversa de solo 10 μA a 25°C
  • Encapsulado DO-5 con cátodo en base

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