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Transistor NPN Epitaxial de Silicio / 27 MHz / 12 Vcc / 13 W / Encapsulado T-30E

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Transistor NPN Epitaxial de Silicio / 27 MHz / 12 Vcc / 13 W / Encapsulado T-30E

Modelo: 2SC3133  ·  Código SAT: 32111600

Precio lista: $3,042.63 MXN

$1,752.56 MXN (IVA Incluido)

IVA: $241.73  ·  USD 68.40 @ TC $18.41

✓ En existencia (6 disponibles)

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Descripción

Transistor NPN epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Ofrece alta eficiencia energética con operación estable hasta 27 MHz, ideal para equipos de comunicación y transmisores. Su encapsulado T-30E garantiza disipación térmica optimizada, permitiendo manejar 13 watts de potencia de salida de forma confiable. Es compatible como reemplazo directo del modelo 2SC1945, facilitando mantenimiento y actualización de equipos existentes.

Características principales

  • Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
  • Frecuencia de operación hasta 27 MHz
  • Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
  • Potencia de salida de 13 watts
  • Reemplazo directo para modelo 2SC1945
  • Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada

Especificaciones técnicas

Tipo
NPN Epitaxial de Silicio
Frecuencia máxima
27 MHz
Voltaje máximo
12 Vcc
Potencia de salida
13 W
Encapsulado
T-30E
Compatibilidad
Reemplazo 2SC1945

Información adicional

Garantía 3 años
Peso 0.01 kg
Dimensiones 2 x - x 1 cm (alto x largo x ancho)

Características

  • Alta eficiencia en amplificación de radiofrecuencia
  • Operación estable hasta 27 MHz
  • Disipación térmica optimizada con encapsulado T-30E
  • Reemplazo directo compatible con modelo 2SC1945
  • Potencia de salida de 13 watts para aplicaciones exigentes
  • Voltaje máximo de 12 Vcc para circuitos de baja tensión

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