Puertas automáticas · CCTV · Control de accesos · Energía solar
Enersol de Michoacán
💬 Hablar por WhatsApp

Inicio › Radiocomunicación › Transistor de Potencia NPN / 500 V / 15 A / 80 W / TO-3PM...

Transistor de Potencia NPN / 500 V / 15 A / 80 W / TO-3PM

SYSCOM PARTS SYSCOM PARTS

Transistor de Potencia NPN / 500 V / 15 A / 80 W / TO-3PM

Modelo: 2SC-3320  ·  Código SAT: 32111600

Precio lista: $180.38 MXN

$115.30 MXN (IVA Incluido)

IVA: $15.90  ·  USD 4.50 @ TC $18.41

⚠ Sin existencia — consulta disponibilidad

1
💬 Cotizar por WhatsApp

Descripción

Transistor de Potencia NPN en Silicio

Este transistor NPN de silicio está diseñado para aplicaciones de alta potencia que demandan control eficiente de corriente y voltaje. Su arquitectura permite manejar hasta 15 A de corriente de colector con una disipación térmica de 80 W, manteniendo una baja caída de voltaje en saturación de 1.0 V que minimiza las pérdidas energéticas. El encapsulado TO-3PM garantiza una instalación robusta y una disipación de calor óptima en entornos industriales. Es ideal para sistemas de conmutación, inversores de alta frecuencia, generadores ultrasónicos y etapas de amplificación de potencia.

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio para alta potencia
  • Voltaje colector-base (VCBO) hasta 500 V
  • Corriente máxima de colector (IC) de 15 A
  • Disipación de potencia (PC) hasta 80 W
  • Baja caída de voltaje en saturación VCE(sat): 1.0 V
  • Encapsulado TO-3PM para alta confiabilidad térmica

Aplicaciones Típicas

  • Reguladores de switcheo (SMPS)
  • Inversores de alta frecuencia
  • Generadores ultrasónicos
  • Amplificadores de potencia de uso general

Especificaciones Técnicas

Voltaje Colector-Base
VCBO = 500 V
Voltaje Colector-Emisor
VCEO = 400 V
Voltaje Emisor-Base
VEBO = 7 V
Corriente de Colector
IC = 15 A
Disipación de Potencia
PC = 80 W
Tensión de Ruptura V(BR)CEO
400 V
Tensión de Ruptura V(BR)CBO
500 V
VCE(sat) Saturación
1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
VBE(sat) Saturación
1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
Corriente de Fuga ICBO
1.0 mA (VCB=500V, IE=0)
Encapsulado
TO-3PM

Información adicional

Garantía 3 años
Peso 0.01 kg
Dimensiones - x 1 x 1 cm (alto x largo x ancho)

Características

  • Silicio para alta potencia y eficiencia térmica
  • Baja caída de saturación de 1.0 V para menor pérdida
  • Apto para reguladores de switcheo e inversores
  • Compatible con generadores ultrasónicos de alta frecuencia
  • Empaque TO-3PM para montaje confiable y disipación
  • Amplificadores de potencia de uso general

Productos relacionados