TPL COMMUNICATIONS
Transistor de Potencia MOSFET / 70 W / 470 MHz / 11.5 dB / 12.5 VDC / TO-272-8
Modelo: B2114
$1,439.72
TPL COMMUNICATIONS
Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM
Modelo: B2-160 · Código SAT: 32111607
Precio lista: $8,395.41 MXN
$4,883.12 MXN (IVA Incluido)
IVA: $673.53 · USD 191.36 @ TC $18.33
✓ En existencia (5 disponibles)
1
Descripción
Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.
Características Generales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
- Potencia de salida máxima de 100 W
- Voltaje de colector de 12.5 Vcc
- Diseño robusto para alta eficiencia energética
- Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF
Especificaciones RF
- Frecuencia: 175 MHz
- Potencia de salida: 100 W
- Relación de ganancia: 6.0 dB
- Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
- Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω
Especificaciones Eléctricas
- Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
- Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
- Corriente de colector (IC): 20 A
- Disipación de potencia: 270 W
Especificaciones Térmicas
- Resistencia térmica (junto-case, RθJC): 0.65 °C/W
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C
Información adicional
| Garantía | 3 años |
| Peso | 0.01 kg |
| Dimensiones | 1 x 1 x 1 cm (alto x largo x ancho) |
Características
- Operación estable en banda VHF hasta 175 MHz para transmisores FM
- Potencia de salida de 100 W con ganancia de 6.0 dB en RF
- Impedancia optimizada: entrada 1.5-j0.9 Ω y carga 0.5-j1.0 Ω
- Disipación térmica de 270 W con resistencia térmica de 0.65 °C/W
- Voltajes de ruptura elevados: VCB 36 V, VCE 18 V, VEB 4.0 V
- Corriente de colector de 20 A para amplificadores de potencia RF
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